Nº do produto: ESD-883D
O ESD-883D Os simuladores ESD HBM/MM para testes de CI são dispositivos de teste de imunidade ESD de alta precisão especialmente projetados por LISUN para componentes semicondutores (como chips, diodos, transistores e módulos de CI). A função é simular dois modelos comuns de descarga eletrostática encontrados nos processos de produção, transporte e montagem de semicondutores: o Modelo de Corpo Humano (HBM) e o Modelo de Máquina (MM). Por meio de injeção padronizada de pulso de alta tensão, ele avalia o limite de tolerância de componentes semicondutores a choques eletrostáticos, identifica proativamente falhas potenciais (por exemplo, quebra de porta e danos na junção PN) causadas por eletricidade estática e fornece base de teste crítica para o projeto de confiabilidade e inspeção de qualidade de fábrica de componentes semicondutores. Adotando um design de circuito modular, ele suporta a comutação de um clique entre os modos de teste HBM e MM. É equipado com um sistema de realimentação de tensão de alta precisão, garantindo que o erro de tensão de descarga seja ≤ ±3%. Enquanto isso, ele tem um invólucro à prova de poeira e anticorrosão integrado, que é adequado para os rigorosos requisitos ambientais de salas limpas de semicondutores (Classe 1000).
O ESD-883D Os Simuladores ESD HBM/MM são equipados com uma tela sensível ao toque Android de grande porte, com suporte para chinês e inglês. Permite a predefinição de parâmetros de teste (por exemplo, níveis padrão HBM de 2 kV/4 kV/8 kV) e é compatível com LISUNDispositivos de teste de semicondutores desenvolvidos pela própria empresa (como dispositivos de teste para encapsulamento TO e dispositivos de teste para chips SMD). O dispositivo pode ser adaptado a componentes semicondutores com diferentes tipos de encapsulamento, incluindo DIP, SOP e QFP, eliminando a necessidade de substituição frequente de dispositivos. Seja para verificação da confiabilidade de chips em empresas de projeto de semicondutores, inspeção de qualidade de fábrica em plantas de embalagem ou certificação de conformidade em laboratórios terceirizados, este dispositivo pode fornecer um ambiente de teste estável e preciso, ajudando os produtos semicondutores a atender aos padrões de proteção eletrostática em mercados globais.
| Modelo de alta | Padrões internacionais | Padrões GB |
| Modelo do corpo humano (HBM) |
MIL-STD-883 Método 3015 “Padrão de Método de Teste para Microcircuitos -Teste de Suscetibilidade à Descarga Eletrostática” |
GB/T 4937.26-2023.人体模型》(等同采用 IEC 60749-26:2018) |
| ANSI/ESD STM5.1-2007 “Método de teste padrão para descarga eletrostática Teste de Sensibilidade - Modelo de Corpo Humano (HBM) - Nível de Componente” |
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| ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2024 “Sensibilidade à descarga eletrostática (ESD) Teste - Modelo de Corpo Humano (HBM) - Nível de Componente” |
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| IEC 60749-26:2018 “Dispositivos semicondutores - Ensaios mecânicos e climáticos métodos-Parte 26: Teste de sensibilidade à descarga eletrostática (ESD)-Modelo de corpo humano (HBM)” |
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| AEC-Q100-002 “Qualificação de teste de estresse baseado em mecanismo de falha para Teste de Circuitos Integrados-ESD HBM” |
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| EIA/JESD22-A114-A “Método de teste para sensibilidade à descarga eletrostática Teste - Modelo de Corpo Humano (HBM) |
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| Modo Máquina | ANSI/ESD STM5.2-2013 “Método de teste padrão para descarga eletrostática Teste de Sensibilidade - Modelo de Máquina (MM) - Nível de Componente” |
GB/T 4937.27-2023.机器模型》(等同采用 IEC 60749-27:2012) |
| IEC 60749-27:2012 “Dispositivos semicondutores - Mecânicos e climáticos Métodos de teste - Parte 27: Teste de sensibilidade à descarga eletrostática (ESD) - Modelo de máquina (MM)” |
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| EIA/JESD22-A115-A “Método de teste para sensibilidade à descarga eletrostática Modelo de Máquina de Teste (MM) |
Especificações:
| Tensão de Saída | Modelo do corpo humano (HBM) | Modo de máquina (MM) | |
| 50V~8kV±5% | 50V~2kV±5% | ||
| Polaridade de saída | Positivo, negativo, positivo e negativo alternados | ||
| Modo de Disparo | Individual | Descarga única | |
| Contar | Descarte de acordo com os tempos de descarga definidos | ||
| Outros | Autodisparo do host | ||
| Modo de Disparo | Modelo de corpo humano (HBM) ou modo de máquina (MM) | ||
| Intervalo de descarga | 1 ~ 99s | ||
| Tempos de alta | 1 999 ~ | ||
| Capacitor de descarga | 100pF ± 10 % | 200pF ± 10 % | |
| Resistor de descarga | 1500Ω±10% | 0Ω±10% | |
| Fonte de alimentação do laboratório | AC 100 ~ 240V, 50 / 60Hz, 300W | ||
| Ambiental de Trabalho | Temperatura: 15°C~35°C; Umidade: 10%~75% | ||
Observação: ESD-883D pode compartilhar um host com Modo de dispositivo carregado ESD-CDM (CDM) Teste ESD para CI para testar HBM, MM e CDM ao mesmo tempo (LISUN modelo: ESD-883D/ESD-CDM)
Aplicações:
1. Campo de Projeto e P&D de Semicondutores
• Verificação da Confiabilidade do Chip: Para MCUs, chips de gerenciamento de energia, chips de RF e outros dispositivos desenvolvidos por empresas de projeto de CIs, testes de HBM (por exemplo, níveis padrão de 1 kV/2 kV/4 kV) são realizados para simular descargas eletrostáticas quando o corpo humano entra em contato com o chip. Testes de MM (por exemplo, 0.5 kV/1 kV) são usados para simular descargas eletrostáticas quando equipamentos automatizados (como montadores e sondas de chip) entram em contato com o chip. Isso verifica a resistência eletrostática da camada de óxido de porta e da junção PN do chip, otimiza o projeto de proteção eletrostática do chip (por exemplo, adicionando diodos de proteção ESD) e previne falhas do chip causadas por proteção eletrostática insuficiente durante a fase de P&D.
• Teste de Suscetibilidade Eletrostática de Novos Materiais: Os testes HBM/MM são realizados em novos materiais semicondutores (como dispositivos semicondutores de SiC e GaN de banda larga) para determinar os níveis de suscetibilidade eletrostática (por exemplo, Classe 000, Classe 00) desses materiais. Isso fornece suporte de dados confiável para a aplicação de novos materiais em chips de alta frequência e alta tensão.
2. Campo de fabricação e embalagem de semicondutores
• Inspeção de Qualidade Pós-Embalagem: Em plantas de embalagem de semicondutores (por exemplo, após os processos de embalagem DIP, SOP e QFP), testes de amostragem HBM/MM são realizados em dispositivos embalados de cada lote. Aproveitando a função de comutação rápida de modo duplo do ESD-883DOs testes detectam se problemas como má ligação dos fios ou danos ao coloide da embalagem durante o processo de embalagem levaram à redução da suscetibilidade eletrostática dos dispositivos. Isso garante que os dispositivos de saída atendam aos requisitos das normas JEDEC JESD22-A114F/A115-A.
3. Campo de semicondutores de eletrônica automotiva
• Testes de ESD em Chips Automotivos: Para MCUs e chips de sensores automotivos (como chips de radar de ondas milimétricas e chips ISP de câmeras), de acordo com os requisitos de "Teste de Suscetibilidade a ESD" especificados na AEC-Q100 (Norma de Confiabilidade de Componentes Eletrônicos Automotivos), são realizados testes HBM 8kV e MM 2kV. Esses testes simulam choques eletrostáticos durante processos de montagem automotiva (por exemplo, conexão/desconexão manual de conectores, montagem automatizada), garantindo a confiabilidade da resistência eletrostática dos chips em ambientes automotivos e prevenindo mau funcionamento do sistema veicular causado por eletricidade estática (como apagões no painel de instrumentos e alarmes falsos em sinais de direção autônoma).
• Testes de Módulos IGBT: Testes HBM/MM são realizados nos chips de acionamento de gate dos módulos IGBT para veículos de nova geração. Esses testes verificam a tolerância eletrostática do circuito de gate, evitando a ativação incorreta do IGBT ou a quebra do gate causada por eletricidade estática, garantindo a operação segura e estável do sistema de energia em veículos de nova geração.
4. Campo de semicondutores militares e de alta confiabilidade
• Testes de Chips Militares: De acordo com o Método 3015 da GJB 548B-2020 e o Método 3015 da MIL-STD-883, testes rigorosos de HBM/MM (por exemplo, HBM 8 kV, MM 5 kV) são realizados em chips de comunicação, chips de radar e chips de navegação militares. Esses testes simulam cenários eletrostáticos durante o transporte de produtos militares (como vibração e atrito em caixas de munição) e uso em campo de batalha (como eletricidade estática do corpo humano em ambientes secos), garantindo o desempenho da resistência eletrostática dos chips em ambientes extremos e salvaguardando a confiabilidade operacional dos equipamentos militares.
• Teste de semicondutores aeroespaciais: para dispositivos semicondutores aeroespaciais (como chips de navegação por satélite e chips de gerenciamento de energia de espaçonaves), aproveitando a ampla adaptabilidade da faixa de temperatura (0℃~40℃) do ESD-883DOs testes HBM/MM são realizados em ambientes simulados de cabines de naves espaciais. Esses testes verificam a suscetibilidade eletrostática dos dispositivos em ambientes de vácuo espacial e baixa temperatura, prevenindo mau funcionamento da nave espacial causado por descargas eletrostáticas espaciais.
5. Campo de testes e certificação de terceiros
• Teste de Certificação de Conformidade: Instituições de teste terceirizadas, como SGS, CQC e TÜV, usam o ESD-883D dispositivo. Em conformidade com as normas internacionais, incluindo IEC 60749-26/27 e JEDEC JESD22-A114F/A115-A, eles fornecem relatórios de testes de suscetibilidade eletrostática HBM/MM para empresas de semicondutores. Isso ajuda os produtos dessas empresas a obterem certificações como CE (UE), UL (EUA) e CCC (China), permitindo o acesso a mercados globais.
• Verificação de conformidade padrão: para a acreditação de qualificação de laboratórios de testes de semicondutores (por exemplo, certificação CNAS), o ESD-883D pode servir como um dispositivo de teste padrão. Por meio de calibração regular (atendendo aos requisitos da ISO 17025), garante a rastreabilidade dos dados de teste, ajudando os laboratórios a passarem em auditorias de qualificação e a obterem a capacidade de emitir relatórios de teste confiáveis.
6. Campo de semicondutores de eletrônicos de consumo
• Testes de Chip de Nível de Consumo: Para dispositivos semicondutores eletrônicos de consumo, como SoCs de celulares, chips de fones de ouvido Bluetooth e MCUs de casas inteligentes, são realizados testes HBM (2 kV ~ 4 kV) e testes MM (0.5 kV ~ 1 kV). Esses testes simulam choques eletrostáticos durante cenários de uso do consumidor (por exemplo, conectar/desconectar o carregador do celular, usar fones de ouvido), garantindo que os dispositivos estejam em conformidade com os padrões de proteção eletrostática para produtos eletrônicos de consumo e prevenindo problemas como falhas no produto ou degradação da vida útil da bateria causada por eletricidade estática.
• Testes de Componentes Semicondutores: Os testes HBM/MM são realizados em componentes semicondutores em eletrônicos de consumo (como módulos de câmera e componentes de circuitos integrados de driver de vídeo). Esses testes verificam a resistência eletrostática de vários chips trabalhando em conjunto dentro dos componentes, evitando danos a todo o componente devido à falha eletrostática de um único chip e reduzindo a taxa de falhas pós-venda de produtos eletrônicos de consumo.
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