Seletor de transistor MOS

Detecção de falhas em transistores pelo seletor de teste de transistor MOS:

• Parâmetros de medição: tensão aberta UGS (th), resistência interna RDS, transcondutância gm, tensão suportável V (BR) DS
• Faixa de teste: UGS (th) 0.1-9.9V; RDS 0.001-9.999Ω g; 0.10-10.00s; V (BR) DS 50-650V
• Faixa de corrente de teste: 0.1A-5A ajustável, em conformidade com diferentes situações de trabalho
• Seleção automática, alarme fora do limite, melhora a eficiência do trabalho
• A técnica de testar RDS sob a grande corrente é uma técnica avançada